IRF2807STRR和STB60NF06LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2807STRR STB60NF06LT4 IRF2807S

描述 Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3Pin (2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VD2PAK N-CH 75V 82A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 - TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 75.0 V 60.0 V 75.0 V

额定电流 82.0 A 60.0 A 82.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.016 Ω 7.50 MΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 110 W 230W (Tc)

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 75.0 V 60 V 75 V

漏源击穿电压 - 60 V 75.0V (min)

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 82.0 A 60.0 A 82.0 A

上升时间 64.0 ns 220 ns 79.0 ns

输入电容(Ciss) - 2000pF @25V(Vds) 3820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 230W (Tc)

产品系列 IRF2807S - IRF2807S

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

封装 - TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Active End of Life

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司