对比图
型号 CY7C1513KV18-300BZC CY7C1513KV18-300BZXC IS61QDB44M18A-300M3L
描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst ArchitectureQDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 18 18 -
存取时间 0.45 ns 0.45 ns 8.4 ns
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.71V ~ 1.89V
电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -
电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -
时钟频率 - - 300 MHz
高度 0.89 mm 0.89 mm -
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅