BD677和MJE800G

对比图

型号 BD677 MJE800G MJE802

描述 STMICROELECTRONICS  BD677  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR  MJE800G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 100 hFE 新硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-225-3 TO-126-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 80.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 100 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 40000 mW

针脚数 3 3 -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - 60 V -

输出电流 - 4 A -

集电极最大允许电流 - 4A -

输入电压 - 5 V -

封装 TO-126-3 TO-225-3 TO-126-3

长度 7.8 mm 7.8 mm -

宽度 2.7 mm 2.66 mm -

高度 10.8 mm 11.04 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99