FLC257MH-6和FLC257MH-8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FLC257MH-6 FLC257MH-8

描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE MH, 2PinC-Band Power GaAs FET

数据手册 --

制造商 Sumitomo (住友) Fujitsu (富士通)

分类

基础参数对比

封装 CASE MH CASE MH

封装 CASE MH CASE MH

产品生命周期 Active Obsolete

频率 6.4 GHz -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

香港进出口证 NLR -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台