对比图
型号 PD85015S-E PD85015STR-E PD85015TR-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 870 MHz 870 MHz 870 MHz
耗散功率 59 W 59000 mW 59 W
输出功率 15 W 15 W 15 W
增益 16 dB 16 dB 16 dB
测试电流 150 mA 150 mA 150 mA
输入电容(Ciss) 45pF @12.5V(Vds) 45pF @12.5V(Vds) 45pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 59000 mW 59000 mW 59000 mW
额定电压 40 V 40 V 40 V
额定电流 - 5 A -
长度 7.5 mm - 7.5 mm
宽度 9.4 mm - 9.4 mm
高度 3.5 mm - 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 - - NLR
工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -