BC33716TA和BC33716TFR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC33716TA BC33716TFR BC337RL1G

描述 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3Pin TO-92 T/RON SEMICONDUCTOR  BC337RL1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 100 MHz 100 MHz 210 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 800 mA 800 mA 800 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 0.625 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 630 -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 60 - 100

高度 4.58 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 4.58 mm - 5.2 mm

宽度 3.86 mm - 4.19 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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