对比图
型号 AUIRF1405 IRF1405PBF IRF1405ZLPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF1405PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 VN沟道 55V 75A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 330 W 330 W 230 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 169A 169A 150A
输入电容(Ciss) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 330W (Tc) 330W (Tc) 230W (Tc)
额定功率 120 W 200 W -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0046 Ω 0.0053 Ω -
阈值电压 2 V 4 V -
上升时间 190 ns 190 ns -
下降时间 110 ns 110 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
输入电容 - 5480 pF -
漏源击穿电压 - 55 V -
额定功率(Max) - 330 W -
长度 10.66 mm 10.67 mm 10.2 mm
宽度 4.82 mm - 4.5 mm
高度 16.51 mm 8.77 mm 9.45 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -