XC17S150XLPDG8I和XC17S20PD8I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 XC17S150XLPDG8I XC17S20PD8I XC17S150XLPD8I

描述 Memory Circuit, 1040128X1, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8PROM Serial 174Kbit 5V 8Pin PDIPSpartan 3.3V one-time programmable configuration PROM. Configuration bits 1040128.

数据手册 ---

制造商 Xilinx (赛灵思) Xilinx (赛灵思) Xilinx (赛灵思)

分类 EEPROM芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP-8 DIP

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 8 -

封装 DIP DIP-8 DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube -

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

内存容量 - 200000 B -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -

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