对比图
型号 IS43LR32100C-6BL IS43LR32100C-6BLI IS43LR32100D-6BL
描述 DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 32M-Bit 1M x 32 1.8V 90Pin TFBGAIC DDR 32M 166MHz 90BGA32m, 1.8V, Mobile Ddr, 1mx32, 166MHz, 90 Ball Bga (8mmx13mm) Rohs
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TFBGA-90 TFBGA-90 TFBGA-90
引脚数 - - 90
电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V
位数 - - 32
存取时间 - - 5.5 ns
存取时间(Max) - - 6 ns
工作温度(Max) - - 70 ℃
工作温度(Min) - - 0 ℃
封装 TFBGA-90 TFBGA-90 TFBGA-90
高度 - - 0.8 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅