对比图
型号 FDT1600N10ALZ IRFL4310TRPBF
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT1600N10ALZ, 5.6 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装场效应管, MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4
封装 SOT-223 TO-261-4
额定电压(DC) - 100 V
额定电流 - 2.20 A
漏源极电阻 0.121 Ω 200 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 10.42 W 2.1 W
产品系列 - IRFL4310
阈值电压 2.8 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 1.60 A
上升时间 2.5 ns 18.0 ns
输入电容(Ciss) 169pF @50V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1 W
针脚数 4 -
下降时间 2.4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 10.42 W -
封装 SOT-223 TO-261-4
长度 6.7 mm -
宽度 3.7 mm -
高度 1.7 mm -
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -