对比图
型号 BSO080P03NS3EG BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SH
描述 OptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-TransistorINFINEON BSO080P03SHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 VInfineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
封装 PG-DSO-8 SOIC-8 DSO
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 PG-DSO-8 SOIC-8 DSO
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.65 mm 1.65 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
极性 - P-Channel P-Channel
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5 W
额定功率 - 1.79 W -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.0067 Ω -
耗散功率 - 1.79 W -
漏源极电压(Vds) - 30 V -
连续漏极电流(Ids) - 12.6A -
上升时间 - 22 ns -
输入电容(Ciss) - 4430pF @25V(Vds) -
下降时间 - 110 ns -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -