STD10NF10和STD10NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD10NF10 STD10NF10T4 SPB47N10

描述 N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD10NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 3 VPower Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252 TO-252-3 -

漏源极电阻 130 mΩ 0.13 Ω -

耗散功率 50 W 50 W -

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 50 W 50W (Tc) -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 13.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 13.0 A -

上升时间 - 25 ns -

额定功率(Max) - 50 W -

下降时间 - 8 ns -

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.2 mm 6.2 mm -

高度 2.4 mm 2.4 mm -

封装 TO-252 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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