1N4104D-1和JANS1N4104-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4104D-1 JANS1N4104-1 JANTXV1N4104-1

描述 DO-35 10V 0.5W(1/2W)硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 DO-35 DO-35 DO-35

测试电流 - 0.25 mA 0.25 mA

稳压值 10 V 10 V 10 V

正向电压(Max) - 1.1 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率 500 mW - 480 mW

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.1V @200mA

额定功率(Max) - - 500 mW

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Bag

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

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