70T651S10BFG和70T651S10BFG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T651S10BFG 70T651S10BFG8 70T3519S133BFGI

描述 静态随机存取存储器 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAMSRAM 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAMDual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 CABGA-208 LFBGA-208

电源电压 - - 2.4V ~ 2.6V

长度 15 mm 15 mm 15.0 mm

宽度 15 mm 15 mm 15.0 mm

封装 CABGA-208 CABGA-208 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm 1.4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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