FDS3812和IRF7380PBF-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3812 IRF7380PBF-1 IRF7380TRPBF-1

描述 80V N沟道双通道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFETSOIC N-CH 80V 3.6ASOIC N-CH 80V 3.6A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC

引脚数 8 - 8

极性 N-Channel N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 3.6A 3.6A

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 3.40 A - -

漏源极电阻 74.0 mΩ - -

耗散功率 2 W - -

输入电容 634 pF - -

栅电荷 13.0 nC - -

漏源击穿电压 80.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 3 ns - 10 ns

输入电容(Ciss) 634pF @40V(Vds) - 660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - -

下降时间 4 ns - 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2000 mW

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -

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