对比图
型号 2N6764 JANTXV2N6764 IRF151
描述 Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543N沟道功率MOSFET ， 40 A， 60 V / 100 V N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-3 -
耗散功率 - 4 W -
漏源极电压(Vds) - 100 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) -
封装 - TO-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - Non-Compliant -
含铅标准 - Contains Lead -