1N5804和JAN1N5804

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5804 JAN1N5804 1N5804V

描述 整流器效率高, ESP , 2.5安培至20 AMP RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP军事批准的高效率2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMPRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 Case A Case A -

正向电压 875mV @1A 975mV @2.5A -

反向恢复时间 25 ns 25 ns -

正向电流 2500 mA 2.5 A -

正向电压(Max) 875mV @1A 975mV @2.5A -

正向电流(Max) 2.5 A 2500 mA -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -

热阻 36 ℃/W - -

封装 Case A Case A -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

军工级 - Yes -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台