对比图
型号 IRFS38N20DPBF IRFS4127PBF IRFS38N20DTRRP
描述 INFINEON IRFS38N20DPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 44A, D2-PAKINFINEON IRFS4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 VD2PAK N-CH 200V 38A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 1 1
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 320 W 375 W 3.8 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 72A 38A
上升时间 95 ns 18 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 5380pF @50V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
下降时间 47 ns 22 ns 47 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 375W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 38.0 A - -
额定功率 320 W 375 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.054 Ω 0.0186 Ω -
产品系列 IRFS38N20D - -
输入电容 2.90 nF - -
漏源击穿电压 200 V 200 V -
额定功率(Max) 3.8 W 375 W -
长度 10.67 mm 10.67 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -