BSB053N03LPG和BSZ0904NSIATMA1

对比图

型号 BSB053N03LPG BSZ0904NSIATMA1 NTTFS4985NFTWG

描述 OptiMOS2功率MOSFET OptiMOS2 Power-MOSFETINFINEON  BSZ0904NSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V30V,3.5mΩ,64A,单N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 WDSON TSDSON WDFN-8

引脚数 - 8 -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 37 W 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 18A 32.4A

上升时间 - 4.4 ns 24 ns

输入电容(Ciss) - 1100pF @15V(Vds) 2075pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) - 2100 mW 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)

额定功率 - 37 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0033 Ω -

阈值电压 - 2 V -

下降时间 - 3 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 WDSON TSDSON WDFN-8

长度 - 3.4 mm -

宽度 - 3.4 mm -

高度 - 1.1 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -