对比图
型号 IXSN62N60U1 IXSN80N60BD1 HGT1N30N60A4D
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 250000mW 4Pin SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 420000mW 4Pin SOT-227B600V ，开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount - Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
耗散功率 250000 mW 420000 mW 255000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Cies) 4.5nF @25V 6.6nF @25V -
额定功率(Max) 250 W 420 W 255 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW 420000 mW 255000 mW
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 96.0 A
长度 38.2 mm - -
宽度 25.07 mm - -
高度 9.6 mm - 9.6 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Unknown
包装方式 Tube - Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99