对比图
型号 1N6377RL4G ICTE-15RL4G 1N6377G
描述 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD
击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V
耗散功率 - 1.5 kW 1500 W
钳位电压 25 V 14 V 25 V
最大反向电压（Vrrm） 15V 15V 15V
测试电流 1 mA 1 mA 1 mA
脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W
最小反向击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃
工作电压 15 V - -
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
电路数 1 - -
最大反向击穿电压 17.6 V - 17.6 V
额定电压(DC) - - 17.6 V
额定功率 - - 1.50 kW
针脚数 - - 2
击穿电压 - - 17.6 V
封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD
长度 9.5 mm - 9.5 mm
直径 - - 5.30 mm
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99