1N5532BE3和JANTX1N5532B-1

对比图

型号 1N5532BE3 JANTX1N5532B-1 1N5532B

描述 DO-35 12V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDO-35 12V 400mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 500 mW 400 mW

稳压值 12 V 12 V 12 V

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 1 mA -

正向电压(Max) - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -