对比图
型号 FDS8926A IRF7311PBF NDS9925A
描述 双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorINFINEON IRF7311PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 29 mohm, 4.5 V, 700 mV双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2 W -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 30 mΩ 0.029 Ω 60.0 mΩ
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel Standard
耗散功率 2 W 2 W 2 W
阈值电压 670 mV 700 mV -
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 6.6A 4.50 A
上升时间 19.0 ns 17 ns -
输入电容(Ciss) 900pF @10V(Vds) 900pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 900 mW 2 W 900 mW
下降时间 - 31 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 900 mW 2 W -
额定电压(DC) 30.0 V - 20.0 V
额定电流 5.50 A - 4.50 A
输入电容 900 pF - -
栅电荷 19.8 nC - -
漏源击穿电压 30.0 V - 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V - ±8.00 V
电容 - - 25.0 pF
输出电流 - - ≤6.00 A
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99