MBR2045CT和MBRP2045NTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBR2045CT MBRP2045NTU 298G

描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB,Diode Schottky 45V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15, PLASTIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Galaxy Semi-Conductor Fairchild (飞兆/仙童) Sensitron Semiconductor

分类 二极管阵列

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-220-3 DO-15

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 20.0 A -

正向电压 - 800mV @20A -

正向电流 - 20 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 150 A -

正向电压(Max) - 800mV @20A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

长度 - 10.1 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 - TO-220-3 DO-15

工作温度 - 65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台