BUZ31H和BUZ73LH

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ31H BUZ73LH BUZ73L

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor200V,7A,N沟道功率MOSFETSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 7.00 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 400 mΩ

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 40 W

输入电容 - - 840 pF

漏源极电压(Vds) - - 200 V

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) - - 7.00 A

上升时间 - - 60 ns

输入电容(Ciss) - - 840pF @25V(Vds)

下降时间 - - 40 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - - 40W (Tc)

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube, Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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