对比图
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor200V,7A,N沟道功率MOSFETSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管晶体管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 7.00 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 400 mΩ
极性 - - N-Channel
耗散功率 - - 40 W
输入电容 - - 840 pF
漏源极电压(Vds) - - 200 V
漏源击穿电压 - - 200 V
连续漏极电流(Ids) - - 7.00 A
上升时间 - - 60 ns
输入电容(Ciss) - - 840pF @25V(Vds)
下降时间 - - 40 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
耗散功率(Max) - - 40W (Tc)
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube, Rail Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free