对比图
型号 IXTP02N120P IXTY02N120P
描述 N沟道 1.2kV 200mATO-252AA N-CH 1200V 0.2A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3
极性 - N-CH
耗散功率 33 W 33 W
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V
连续漏极电流(Ids) - 0.2A
上升时间 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 104pF @25V(Vds) 104pF @25V(Vds)
下降时间 39 ns 39 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33W (Tc) 33W (Tc)
通道数 1 -
阈值电压 4 V -
封装 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free