IPS09N03LA和IPS135N03LGAKMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS09N03LA IPS135N03LGAKMA1 IPS09N03LAG

描述 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-TransistorTO-251 N-CH 30V 30AOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251 TO-251-3 TO-251

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 50.0 A

输入电容 - - 1.64 nF

栅电荷 - - 13.0 nC

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 25.0 V

连续漏极电流(Ids) 50A 30A 50.0 A

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 31W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 1000pF @15V(Vds) -

耗散功率(Max) - 31W (Tc) -

封装 TO-251 TO-251-3 TO-251

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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