IDT71V424S10Y和IDT71V424S10Y8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V424S10Y IDT71V424S10Y8 71V424S10YG

描述 3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 512K ×8位) 3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT)IC SRAM 4Mbit 10NS 36SOJSRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36Pin SOJ Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 36

封装 BSOJ-36 BSOJ-36 BSOJ-36

供电电流 - - 180 mA

存取时间 - - 10 ns

存取时间(Max) - - 10 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 - - 23.4 mm

宽度 - - 10.2 mm

高度 - - 2.2 mm

封装 BSOJ-36 BSOJ-36 BSOJ-36

厚度 - - 2.20 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 3A991 3A991 -

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