对比图
型号 IRF830ALPBF IRFBC20LPBF SPI07N60C3
描述 MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262新的革命高电压技术，超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 - - 3
耗散功率 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 83 W
漏源极电压(Vds) - 600 V 650 V
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.1 W 83 W
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 83000 mW
额定电压(DC) - - 650 V
额定电流 - - 7.30 A
极性 - - N-CH
连续漏极电流(Ids) - - 7.30 A
上升时间 - - 3.5 ns
下降时间 - - 7 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
长度 - 10.67 mm 10.2 mm
宽度 - 4.83 mm 4.5 mm
高度 - 9.65 mm 9.45 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free