LF353N和LF353P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LF353N LF353P LF353N/NOPB

描述 STMICROELECTRONICS  LF353N  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 16 V/µs, ± 18V, DIP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LF353P  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LF353N/NOPB  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, 10V 至 36V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 PDIP-8 PDIP-8

电源电压(DC) 18.0 V 18.0 V -

供电电流 1.4 mA 3.6 mA 3.6 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 680 mW 500 mW -

上升时间 100 ns - -

带宽 4 MHz 3 MHz 4 MHz

转换速率 16.0 V/μs 13.0 V/μs 13.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz 3 MHz 4 MHz

输入补偿电压 3 mV 5 mV 5 mV

输入偏置电流 20 pA 50 pA 50 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

共模抑制比 - 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 - 10.0 µV/K 10.0 µV/K

增益带宽 - 3 MHz 4 MHz

耗散功率(Max) - 500 mW -

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

电源电压(Max) - 18 V 36 V

电源电压(Min) - 7 V 10 V

输出电流 - - 20.0 mA

电源电压 - - 10V ~ 36V

长度 9.27 mm 9.81 mm 9.27 mm

宽度 6.35 mm 6.35 mm 6.35 mm

高度 3.3 mm 4.57 mm 3.3 mm

封装 DIP-8 PDIP-8 PDIP-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/12/17 -

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