对比图
型号 W972GG8JB-25 W972GG8JB25I MT47H256M8EB-25E:C
描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
数据手册 ---
制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Micron (镁光)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
引脚数 60 60 60
封装 TFBGA-60 TFBGA-60 FBGA-60
安装方式 - - Surface Mount
供电电流 135 mA - 130 mA
位数 8 8 8
存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns 0.4 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 95 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
工作电压 - - 1.80 V
时钟频率 - - 400 MHz
存取时间 - - 400 ps
封装 TFBGA-60 TFBGA-60 FBGA-60
高度 - 0.8 mm -
工作温度 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99