LMC660AIN和LMC660CN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC660AIN LMC660CN LMC660CN/NOPB

描述 CMOS四路运算放大器 CMOS Quad Operational AmplifierCMOS四路运算放大器 CMOS Quad Operational AmplifierOP Amp Quad GP R-R O/P 15.5V 14Pin PDIP Rail

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) National Semiconductor (美国国家半导体) National Semiconductor (美国国家半导体)

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 14 14

封装 DIP DIP-14 DIP

共模抑制比 - 63 dB 63 dB

带宽 - 500 kHz 1.4 MHz

增益频宽积 - 1.4 MHz 1.4 MHz

输入补偿电压 - 6 mV 6 mV

输入偏置电流 - 0.000002 nA 0.000002 nA

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 1.4 MHz -

电源电压 - 5V ~ 15.5V 5V ~ 15.5V

封装 DIP DIP-14 DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Rail Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

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