对比图
描述 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 35 V, 0.03 ohm, 10 VTrans MOSFET N-CH 35V 6A 8Pin SOIC T/R
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
通道数 - 2
漏源极电阻 0.03 Ω 39 mΩ
耗散功率 2.2 W 2.2 W
漏源击穿电压 - 35 V
上升时间 34 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 470pF @20V(Vds) 470pF @20V(Vds)
下降时间 30 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.2 W 2200 mW
针脚数 8 -
漏源极电压(Vds) 35 V -
额定功率(Max) 2.2 W -
封装 SOIC-8 SOIC-8
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
工作温度 150℃ (TJ) -