对比图
型号 MT47H256M8HG-37EIT:A W972GG8JB-25 MT47H512M4THN-3:G
描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 9 X 11.5MM, LEAD FREE, FBGA-63
数据手册 ---
制造商 Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份) Micron (镁光)
分类 存储芯片RAM芯片
引脚数 - 60 -
封装 TFBGA TFBGA-60 TFBGA
供电电流 - 135 mA -
位数 - 8 -
存取时间(Max) - 0.4 ns -
工作温度(Max) - 85 ℃ -
工作温度(Min) - 0 ℃ -
电源电压 - 1.7V ~ 1.9V -
封装 TFBGA TFBGA-60 TFBGA
工作温度 - 0℃ ~ 85℃ -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -