对比图
型号 APT10021JLL APT10025JVR IXFN38N100P
描述 SOT-227 N-CH 1000V 37ATrans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 210 mOhm 1000 W 功率 Mosfet - SOT-227B
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw -
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -
额定电流 37.0 A 34.0 A -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 694 W 700 W 1 kW
输入电容 9.75 nF 18.0 nF -
栅电荷 395 nC 990 nC -
漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV 1000 V
连续漏极电流(Ids) 37.0 A 34.0 A 38A
上升时间 22 ns 20 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 9750pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds) 24000pF @25V(Vds)
下降时间 20 ns 16 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 694W (Tc) 700000 mW 1000W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 210 mΩ
漏源击穿电压 - - 1000 V
额定功率(Max) - - 1000 W
封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4
长度 - - 38.23 mm
宽度 - - 25.42 mm
高度 - - 9.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free