对比图
型号 IXGH48N60B3C1 NGTB35N60FL2WG
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXGH48N60B3C1 单晶体管, IGBT, SIC, 75 A, 1.8 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 引脚ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WG 单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3
耗散功率 300 W 300 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 300 W 300 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 W 300 W
反向恢复时间 - 68 ns
封装 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.26 mm
宽度 - 5.3 mm
高度 - 21.08 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99