BSS209PWH6327和SI1303DL-T1-E3

对比图

型号 BSS209PWH6327 SI1303DL-T1-E3 BSS209PWL6327

描述 20V,-0.63A,P沟道功率MOSFETMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.36Ω; ID -0.67A; SC-70 (SOT-323); PD 0.29WSOT-323P-CH 20V 0.58A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323

漏源极电阻 - 0.7 Ω -

耗散功率 - 0.29 W -

漏源极电压(Vds) - 20 V 20 V

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 290mW (Ta) -

极性 - - P-CH

连续漏极电流(Ids) - - 0.58A

长度 - 2.2 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -