2N5551BU和2N5551TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5551BU 2N5551TA 2N5551

描述 ON Semiconductor 2N5551BU , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装ON Semiconductor 2N5551TA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装160V NPN General Purpose Transistor in TO-92, RoHS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Taitron

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-92-3 TO-92-3 -

频率 300 MHz 300 MHz -

针脚数 3 3 -

耗散功率 625 mW 625 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

直流电流增益(hFE) 30 30 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -50 ℃ -50 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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