对比图
描述 ON Semiconductor 2N5551BU , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装ON Semiconductor 2N5551TA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装160V NPN General Purpose Transistor in TO-92, RoHS
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Taitron
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-92-3 TO-92-3 -
频率 300 MHz 300 MHz -
针脚数 3 3 -
耗散功率 625 mW 625 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V -
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V -
额定功率(Max) 625 mW 625 mW -
直流电流增益(hFE) 30 30 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -50 ℃ -50 ℃ -
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -
长度 5.2 mm 5.2 mm -
宽度 4.19 mm 4.19 mm -
高度 5.33 mm 5.33 mm -
封装 TO-92-3 TO-92-3 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Bag - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -