6116SA90TDB和IDT6116LA90TDB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116SA90TDB IDT6116LA90TDB CY7C128A-45DMB

描述 5V 2K x 8 Asynchronous Static RAMCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 CDIP-24 CDIP CDIP

存取时间 90 ns - 45 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

供电电流 - - 125 mA

位数 - - 8

存取时间(Max) - - 45 ns

长度 32.51 mm - -

宽度 7.62 mm - -

高度 3.56 mm - -

封装 CDIP-24 CDIP CDIP

厚度 3.56 mm - -

工作温度 55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - 3A001 3A001.a.2.c

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