对比图
型号 AM1011-400 MS2422 MRF10350
描述 L波段航空电子应用射频和微波晶体管 L-BAND AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORSTrans RF BJT 65V 22A 4Pin Style M138微波脉冲功率型硅NPN晶体管350W （峰值） ， 1025-1150MHz Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 350W (peak), 1025-1150MHz
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Screw Chassis
封装 - M138 355E-01
引脚数 - 4 -
耗散功率 - 875000 mW 1590 W
输出功率 - - 350 W
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V
增益 - 6.3 dB 9 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 10 @1A, 5V 20 @5A, 5V
额定功率(Max) - 875 W 350 W
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 875000 mW -
封装 - M138 355E-01
工作温度 - 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free