对比图
型号 NTMD4840NR2G SI4230DY-T1-GE3 FDS6690AS
描述 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorMOSFET 30V 8A 3.2WPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.016 Ω - 0.01 Ω
耗散功率 1.14 W - 2.5 W
阈值电压 3 V - 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 5 ns - 5 ns
输入电容(Ciss) 520pF @15V(Vds) 950pF @15V(Vds) 910pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 680 mW 3.2 W 1 W
下降时间 3 ns - 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.95 W - 2500 mW
极性 Dual N-Channel - -
输入电容 520 pF - -
连续漏极电流(Ids) 5.50 A - -
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -