对比图
型号 0805N221J500CT CL21C221JBANNNC VJ0805A221JNAAT
描述 WALSIN 0805N221J500CT 多层陶瓷电容器, 表面贴装, 220 pF, ± 5%, C0G / NP0, 50 V, 0805 [2012 公制]0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。VJ0805 系列Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G (NPO) 和 X7R 电介质选项，VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。### 产品应用信息湿法构建过程 可靠的贵金属电极 (NME) 系统 极佳的耐老化特性 这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用，还适用于计时和谐调电路。 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。
数据手册 ---
制造商 Walsin Technology (台湾华科) Samsung (三星) Vishay Semiconductor (威世)
分类 陶瓷电容陶瓷电容电容
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装(公制) 2012 2012 2012
封装 0805 0805 0805
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
工作电压 - 50 V -
绝缘电阻 - 10 GΩ -
电容 220 pF 220 pF 220 pF
容差 ±5 % ±5 % ±5 %
电介质特性 C0G/NP0 C0G/NP0 C0G/NP0
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
精度 - ±5 % -
额定电压 50 V 50 V 50 V
长度 2.00 mm 2 mm 2 mm
宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm
高度 0.6 mm 0.65 mm 1.45 mm
封装(公制) 2012 2012 2012
封装 0805 0805 0805
厚度 - 0.65 mm -
材质 NP0/-55℃~+125℃ C0G/-55℃~+125℃ -
工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃
温度系数 - ±300 ppm/℃ ±30 ppm/℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
最小包装 - 4000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Exempt
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -