AUIRLR3705Z和AUIRLR3705ZTR

对比图

型号 AUIRLR3705Z AUIRLR3705ZTR IRLR3705Z

描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 55V 89ADPAK N-CH 55V 89A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 130 W 130 W -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 12 mΩ - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 130 W - 130W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V - -

连续漏极电流(Ids) 89A 89A 42.0 A

上升时间 150 ns 150 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) - 2900pF @25V(Vds)

下降时间 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 130W (Tc) - 130W (Tc)

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 42.0 A

产品系列 - - IRLR3705Z

长度 6.73 mm 6.5 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead