对比图
型号 BUK9606-55B BUK9606-55B,118
描述 N沟道FET的TrenchMOS N-channel TrenchMOS FETD2PAK N-CH 55V 146A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
封装 TO-263 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount
封装 TO-263 TO-263-3
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
极性 - N-CH
耗散功率 - 258 W
漏源极电压(Vds) - 55 V
连续漏极电流(Ids) - 146A
上升时间 - 95 ns
输入电容(Ciss) - 7565pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 258 W
下降时间 - 106 ns
耗散功率(Max) - 258W (Tc)
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)