对比图
型号 IXFR10N100Q IXFR15N100Q3 IXFR12N100Q
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 9A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备ISOPLUS N-CH 1000V 10A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - 3 -
通道数 1 - 1
耗散功率 250W (Tc) 400 W 250W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 3250pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 250W (Tc) 400W (Tc) 250W (Tc)
极性 - N-CH N-CH
连续漏极电流(Ids) - 10A 10A
上升时间 - 250 ns -
下降时间 - 8 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
宽度 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.13 mm -
高度 - 21.34 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free