2SK1162和2SK1516-E

对比图

型号 2SK1162 2SK1516-E 2SK1162-E

描述 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 10A - -

上升时间 - 65 ns -

输入电容(Ciss) - 1100pF @10V(Vds) -

下降时间 - 55 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 100000 mW -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 - Tube Tube

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free