MUN5137T1和MUN5137T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5137T1 MUN5137T1G PDTA144TU,115

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorSC-70 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 0.31 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 202 mW 202 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 310 mW 200 mW

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

高度 - - 1 mm

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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