对比图
型号 JAN2N5667 JAN2N5667S 2N5667
描述 NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 3 3
封装 TO-5 TO-39 TO-5
极性 - NPN -
耗散功率 - 1.2 W 1200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -
集电极最大允许电流 - 5A -
最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 5V 25 @1A, 5V -
额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W -
工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1200 mW 1200 mW
封装 TO-5 TO-39 TO-5
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 -