对比图
型号 BFG520W BFG520W,115 BFG540W/XR
描述 NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistorsTrans RF BJT NPN 15V 0.07A 0.5W(1/2W) 4Pin SO T/RNPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 -
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
频率 - 9000 MHz -
耗散功率 - 0.5 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 60 @20mA, 6V -
额定功率(Max) - 500 mW -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 500 mW -
高度 - 1 mm -
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
材质 - Silicon -
工作温度 - 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free