TLC2272QDRQ1和LM318M/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2272QDRQ1 LM318M/NOPB TLC2272QDRG4Q1

描述 高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨运算放大器 ADVANCED LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS通用运算放大器,LM 系列Texas Instruments 的一系列通用运算放大器适用于多种使用。 这些设备在非专业应用中提供经济型性能,并提供单路、双路和四路配置。 该系列包括多种通孔和表面安装封装。 运算放大器 LM 系列中的很多设备提供低功耗,且能够采用单电源操作,带包括接地在内的输入共模电压。### 运算放大器,Texas Instruments高级LinCMOS轨到-RAIL运算放大器 ADVANCED LINCMOS RAIL-TO -RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA 20 mA ≤50 mA

供电电流 2.4 mA 5 mA 2.4 mA

电路数 2 1 2

通道数 2 1 2

耗散功率 0.725 W 500 mW 0.725 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 6.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 2.18 MHz 15.0 MHz 2.18 MHz

转换速率 3.60 V/μs 70.0 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 2.18 MHz 15 MHz 2.18 MHz

过温保护 No - No

输入补偿电压 300 µV 4 mV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 150 nA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 500 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

增益带宽 2.25 MHz 15 MHz -

3dB带宽 - 15 MHz -

电源电压(Max) - 40 V -

电源电压(Min) - 10 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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